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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.1
- 수록면
- 88 - 92 (5page)
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Thermal effects in bulk and SOI FinFETs are briefly reviewed herein. Different techniques to measure these thermal effects are studied in detail. Self-heating effects show a strong dependency on geometrical parameters of the device, thereby affecting the reliability and performance of FinFETs. Mobility degradation leads to 7% higher current in bulk FinFETs than in SOI FinFETs. The lower thermal conductivity of SiO2 and higher current densities due to a reduction in device dimensions are the potential reasons behind this degradation. A comparison of both bulk and SOI FinFETs shows that the thermal effects are more dominant in bulk FinFETs as they dissipate more heat because of theirlower lattice temperature. However, these thermal effects can be minimized by integrating 2D materials along with high thermal conductive dielectrics into the FinFET device structure.
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Sung-Won Yoon / 2016 / Analysis on Self-Heating Effect in 7 nm Node Bulk FinFET Device / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 16(2):204~209
H. Jiang / 2014 / Semicond. Sci. Technol 29:115021
E. Bury / 2014 / Proc. 2014 IEEE International Reliability Physics Symposium :14
T. Takashi / 2016 / IEEE J. Electron Devices Soc 4:365
M. I. Khan / 2014 / Proc. 2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) :7021443
H. Jiang / 2014 / Semicond. Sci. Technol 29:115021
E. Bury / 2014 / Proc. 2014 IEEE International Reliability Physics Symposium :14
T. Takashi / 2016 / IEEE J. Electron Devices Soc 4:365
M. I. Khan / 2014 / Proc. 2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) :7021443
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