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Martin Schulz (Infineon Technologies) Dirk Brieke (Infineon Technologies) Raghavan Nagarajan (Infineon Technologies) Zhen Bo Zhao (Infineon Technologies)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2015-ECCE Asia
발행연도
2015.6
수록면
1,823 - 1,826 (4page)

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This paper deals with the thermal aspects that arise from using the next generation of high power semiconductors featuring a maximum operating temperature for the 5<SUP>th</SUP> generation IGBT of 175℃. The benefits that arise for the application and the points that need to be considered beyond the semiconductors are evaluated using a hardware demonstrator.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. IMPROVED INTERCONNECTION TECHNOLOGIES
III. HARDWARE DEMONSTRATOR
IV. DESIGN CONSIDERATIONS
V. CONCLUSION
REFERENCES

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