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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Kihyun Lee (Chonbuk National University) Yongsug Suh (Chonbuk National University) Yongcheol Kang (Chonbuk National University)
저널정보
전력전자학회 JOURNAL OF POWER ELECTRONICS JOURNAL OF POWER ELECTRONICS Vol.15 No.5
발행연도
2015.9
수록면
1,380 - 1,391 (12page)

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This paper provides a loss analysis and comparison of high power semiconductor devices in 5MW Permanent Magnet Synchronous Generator (PMSG) Medium Voltage (MV) Wind Turbine Systems (WTSs). High power semiconductor devices of the press-pack type IGCT, module type IGBT, press-pack type IGBT, and press-pack type IEGT of both 4.5kV and 6.5kV are considered in this paper. Benchmarking is performed based on the back-to-back type 3-level Neutral Point Clamped Voltage Source Converters (3L-NPC VSCs) supplied from a grid voltage of 4160V. The feasible number of semiconductor devices in parallel is designed through a loss analysis considering both the conduction and switching losses under the operating conditions of 5MW PMSG wind turbines, particularly for application in offshore wind farms. This paper investigates the loss analysis and thermal performance of 5MW 3L-NPC wind power inverters under the operating conditions of various power factors. The loss analysis and thermal analysis are confirmed through PLECS Blockset simulations with Matlab Simulink. The comparison results show that the press-pack type IGCT has the highest efficiency including the snubber loss factor.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. POWER SEMICONDUCTOR DEVICES UNDER COMPARISON
III. ELECTRO-THERMAL MODELING OF THE POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
IV. SIMULATION RESULTS OF THE 3L-NPC VSCS IN A 5MW PMSG MV WTS
V. COMPARISON OF LOSSES
VI. CONCLUSION
REFERENCES

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