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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.15 No.5
- 발행연도
- 2015.10
- 수록면
- 554 - 562 (9page)
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This paper presents the design and analysis of gate-recessed AlGaN/GaN Fin-type Field-Effect Transistor (FinFET). The three-dimensional (3-D) technology computer-aided design (TCAD) simulations were performed to analyze the direct-current (DC) and radio-frequency (RF) characteristics for AlGaN/GaN FinFETs. The fin width (Wfin) and the height of GaN layer (HGaN) are the design parameters used to improve the electrical performances of gate-recessed AlGaN/GaN FinFET.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE STRUCTURE AND SIMULATION CONCLUSIONS
Ⅲ. SIMULATION RESULT AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (19)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - A. Goswami / 2013 / Physics based modeling of gate leakage current due to traps in AlGaN/GaN HFETs / Solid-State Electronics 80 (1) : 23 ~ 27
[학술지(정기간행물)] - Han-Yin Liu / 2014 / Investigation of Temperature-Dependent Characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMT by Using Hydrogen Peroxide Oxidation Technique / IEEE Trans. Electron Devices 61 (8) : 2760 ~ 2766
[학술지(정기간행물)] - Young Chul Choi / 2006 / The Effect of an Fe-doped GaN Buffer on OFF-State Breakdown Characteristics in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate / IEEE Trans. Electron Devices 53 (12) : 2926 ~ 2931
[학술지(정기간행물)] - Han-Yin Liu / 2013 / Enhanced AlGaN/GaN MOS-HEMT Performance by Using Hydrogen Peroxide Oxidation Technique / IEEE Trans. Electron Devices 60 (1) : 213 ~ 220
[학술지(정기간행물)] - Maojun Wang / 2014 / 900 V/1.6 mΩ·cm2 Normally Off Al2O3/GaN MOSFET on Silicon Substrate / IEEE Trans. Electron Devices 61 (6) : 2035 ~ 2040
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