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본 연구에서는 투명 전도막으로 사용할 안티몬주석산화물 박막의 특성변수인 RF 전력, T-S간 거리 등의 변화에 따른 박막의 광학적, 전기적, 구조적 특성을 알아보았다. 방법: 안티몬주석산화물 박막을 마그네트론 스퍼트링 방법으로 실온에서 SnO2:Sb2O5=95:5 wt%의 비율로 제작하였다. 결과: 안티몬주석산화물 박막은 RF 입력전력에 가장 민감한 특성변화를 보였는데, 30W의 RF 입력전력에서 광투과율이 78%, 표면거칠기가 0.56 nm, 면저항이 1007 Ω·cm2이었다. 결론: 안티몬주석산화물 박막은 T-S간 거리와 RF 전력에 따라 구조적, 광학적 및 전기적 특성이 크게 달라지는 것을 확인하였다.
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1. [학술지(정기간행물)] - 윤천 / 1996 / DC Magnetron Sputtering에 의한 ATO 박막의 제조(I) 증착 특성 / J. Kor. Ceram. Soc. 33 (4) : 441 ~ 447
2. [학술지(정기간행물)] - Yusta F. J. / 1997 / CVD preparation and Characterization of Tin Dioxide Films for Electrochemical Applications / J. Mater. Chem. 7 (8) : 1421 ~ 1427
3. [학술지(정기간행물)] - Shanthi E. / 1980 / Electrical and optical Properties of undoped and Antimony-doped Tin Oxide Films / J. Appl. Phys. 51 (12) : 6243 ~ 6251
4. [학술지(정기간행물)] - Vincent C. A. / 1972 / The Nature of Semiconductivity in Polycrystalline Tin Oxide / J. Electrochem. Soc. 119 (4) : 515 ~ 518
5. [학술지(정기간행물)] - 김충완 / 1996 / Sputtering 방법에 의해 제조된 Sb가 도핑된 주석산화물 박막의 특성에 관한 연 구 / 요업학회지 33 (7) : 735 ~ 742
2. [학술지(정기간행물)] - Yusta F. J. / 1997 / CVD preparation and Characterization of Tin Dioxide Films for Electrochemical Applications / J. Mater. Chem. 7 (8) : 1421 ~ 1427
3. [학술지(정기간행물)] - Shanthi E. / 1980 / Electrical and optical Properties of undoped and Antimony-doped Tin Oxide Films / J. Appl. Phys. 51 (12) : 6243 ~ 6251
4. [학술지(정기간행물)] - Vincent C. A. / 1972 / The Nature of Semiconductivity in Polycrystalline Tin Oxide / J. Electrochem. Soc. 119 (4) : 515 ~ 518
5. [학술지(정기간행물)] - 김충완 / 1996 / Sputtering 방법에 의해 제조된 Sb가 도핑된 주석산화물 박막의 특성에 관한 연 구 / 요업학회지 33 (7) : 735 ~ 742
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