Integrate-and-Fire Neuron Circuit and Synaptic Device using Floating Body MOSFET with Spike Timing- Dependent Plasticity

Min-Woo Kwon; Hyungjin Kim; Jungjin Park; Byung-Gook Park

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저자정보: Min-Woo Kwon (Institute of Electrical and Electronics Engineers) Hyungjin Kim (Seoul National University) Jungjin Park (Seoul National University) Byung-Gook Park (Seoul National University)

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.15 No.6

발행연도: 2015.12

수록면: 658 - 663 (6page)

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In the previous work, we have proposed an integrate-and-fire neuron circuit and synaptic device based on the floating body MOSFET [1-3]. Integrateand- Fire(I&F) neuron circuit emulates the biological neuron characteristics such as integration, threshold triggering, output generation, refractory period using floating body MOSFET. The synaptic device has short-term and long-term memory in a single silicon device. In this paper, we connect the neuron circuit and the synaptic device using current mirror circuit for summation of post synaptic pulses. We emulate spike-timing-dependent-plasticity (STDP) characteristics of the synapse using feedback voltage without controller or clock. Using memory device in the logic circuit, we can emulate biological synapse and neuron with a small number of devices.

#Integrate-and-fire neuron circuit #synaptic transistor #spike-timing-dependent-plasticity #long and short-term memory #floating body MOSFET

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