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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.12
- 수록면
- 2,892 - 2,898 (7page)
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양극성 이중 독립 게이트 실리콘 나노와이어 전계 효과 트랜지스터를 새롭게 제안한다. 제안한 트랜지스터는 극성 게이트와 제어 게이트를 가지고 있다. 극성게이트의 바이어스에 따라서 N형과 P형 트랜지스터의 동작을 결정할 수 있고 제어 게이트의 전압에 따라 트랜지스터의 전류 특성을 제어할 수 있다. 2차원 소자 시뮬레이터를 이용해서 양극성 전류-전압 특성이 동작하도록 두 개의 게이트들과 소스 및 드레인의 일함수를 조사했다. 극성게이트 4.75eV, 제어게이트 4.5 eV, 소스 및 드레인 4.8 eV일 때 명확한 양극성 특성을 보였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 구조와 모델
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - G. E. Moore / 1965 / Cramming more components onto integrated circuits / Electronics 38 (8) : 114 ~ 117
[학술지(정기간행물)] - D. Sacchetto / 2012 / Ambipolar gate-controllable SiNW FETs for configurable logic circuits with improved expressive capability / IEEE Electron Device Lett 33 (2) : 143 ~ 145
[학술지(정기간행물)] - R. A. Vega / 2008 / A Comparative Study of Dopant-Segregated Schottky and Raised Source/Drain Double-Gate MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 55 (10) : 2665 ~ 2677
[학술지(정기간행물)] - M. Schwarz / 2011 / 2D analytical calculation of the electric field in lightly doped Schottky barrier double-gate MOSFETs and estimation of the tunneling/thermionic current / Solid-State Electronics 63 : 119 ~ 129
[학술지(정기간행물)] - M. Balaguer / 2011 / An analytical compact model for Schottky-barrier double gate MOSFETs / Solid-State Electronics 64 : 78 ~ 84
[학술지(정기간행물)] - D. Sacchetto / 2012 / Ambipolar gate-controllable SiNW FETs for configurable logic circuits with improved expressive capability / IEEE Electron Device Lett 33 (2) : 143 ~ 145
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