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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 113 - 116 (4page)
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In this paper, a newly proposed Double-Independent-Gate(DIG) Ambipolar Silicon -Nanowire(SiNW) Field Effect Transistor (DIG Ambi-SiNWFET) is introduced. The proposed transistor has two types of gate such as Polarity Gate(Pgate) and Control Gate(Cgate). We demonstrated a correlation between current level and work function of Pgate, Cgate, and Source/Drain(S/D) of the DIG Ambi-SiNWFET. As a result, the current level of DIG Ambi-SiNWFET has small dependence on the work function of Cgate, but it has much dependence on those of Pgate and S/D. When the work functions of Pgate and Cgate and S/D are 4.75eV and 4.5 eV and 4.8eV, respectively, the DIG Ambi-SiNWFET shows clear ambipolar |I<SUB>ds</SUB>|-V<SUB>ds</SUB> characteristics when Pgate voltage = 1V and Cgate voltage = 1V, and Pgate voltage = -1V and Cgate volatge = -1V.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결과 및 논의
참고문헌
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