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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.11
- 수록면
- 3,295 - 3,299 (5page)
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Chemically vapor deposited (CVD) graphene grows a polycrystalline structure that consists of many grain domains. Grain boundaries between grain domains will have negative effect on the in-plane thermal transport in polycrystalline graphene. In this study, we measured thermal conductance of grain boundaries in polycrystalline graphene grown by CVD. Three CVD grown graphene samples with different grain sizes, ranging from 0.5 ㎛ to 4 ㎛, were made by carefully controlling the synthesis conditions and the grain sizes of each graphene were defined by mild dry annealing (MDA) and digital image processing. The thermal conductivities of the graphene were measured by using the optothermal Raman technique that is based on the Raman signal peak dependency on temperature. Finally, the thermal conductance of grain boundaries in graphene was obtained by fitting a theoretical model describing effective thermal conductance of common polycrystalline materials. We find the boundary conductance of graphene to be about 0.9 GW/㎡K and the boundary conductance slightly increases with increasing temperature. This result will help the predictions of thermal transport in polycrystalline graphene for simulation.
목차
Abstract
1. 서론
2. 샘플 준비 및 분석
3. 측정
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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