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학술저널
저자정보
양경채 (성균관대학교) 박성우 (성균관대학교) 신태호 (성균관대학교) 염근영 (성균관대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제48권 제6호
발행연도
2015.12
수록면
360 - 370 (11page)

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As the size of the semiconductor devices shrinks to nanometer scale, the importance of plasma etching process to the fabrication of nanometer scale semiconductor devices is increasing further and further. But for the nanoscale devices, conventional plasma etching technique is extremely difficult to meet the requirement of the device fabrication, therefore, other etching techniques such as use of multi frequency plasma, source/bias/gas pulsing, etc. are investigated to meet the etching target. Until today, various pulsing techniques including pulsed plasma source and/or pulse-biased plasma etching have been tested on various materials. In this review, the experimental/theoretical studies of pulsed plasmas during the nanoscale plasma etching on etch profile, etch selectivity, uniformity, etc. have been summarized. Especially, the researches of pulsed plasma on the etching of silicon, SiO₂, and magnetic materials in the semiconductor industry for further device scaling have been discussed. Those results demonstrated the importance of pulse plasma on the pattern control for achieving the best performance. Although some of the pulsing mechanism is not well established, it is believed that this review will give a certain understanding on the pulsed plasma techniques.

목차

Abstract
1. 서론
2. 펄스 플라즈마
3. 식각공정에서의 펄스 플라즈마
4. 결론
References

참고문헌 (71)

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