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The dry etching characteristics of SnO thin films were investigated using inductively coupled plasma (ICP) in Ar, CF₄, Cl₂ chemistries. the SnO thin films were deposited by reactive rf magnetron sputtering with Sn metal target. In order to study the etching rates of SnO, the processing factors of processing pressure, source power, bias power, and etching gas were controlled. The etching behavior of SnO films under various conditions was obtained and discussed by comparing to that of SiO₂ films. In our results, the etch rate of SnO film was obtained as 94nm/min. The etch rates were mainly affected by physical etching and the contribution of chemical etching to SnO films appeared relatively week.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
참고문헌 (16)
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S. H. Choi, M. K. Han, Effect of channel widths on negative shift of threshold voltage, including stress-induced hump phenomenon in InGaZnO thin-film transistors under high-gate and drain bias stress, Appl. Phys. Lett. 100, (2012) 043503.
K. C. Lee, K. M. Jo, J. H. Lee, J. J. Kim, Y. W. Heo, Electrical and Optical Properties of Amorphous ITZO Deposited at Room Temperature by RF Magnetron Sputtering, J. Kor. Inst. Surf. Eng. 47 (2014) 239-243.
K. Ebata, S. Tomai, Y. Tsuruma, T. Iitsuka, Shigeo Matsuzaki, Koki Yano, High-Mobility Thin-Film Transistors with Polycrystalline In–Ga–O Channel Fabricated by DC Magnetron Sputtering, Appl. Phys Express, 5 (2012) 011102.
S. J. Hong, J. I. Han, Synthesis and characterization of indium tin oxide (ITO) nano- particle using gas evaporation process, J. Electro- ceram. 17, (2006) 821-826.
C. L. A. Ricardo, M. D'Incau, M. Leoni, C. Malerba, A. Mittiga, P. Scardi, Structural properties of RFmagnetron sputtered Cu2O thin films, Thin solid films 520 (2011) 280-286.
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