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- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.2
- 발행연도
- 2016.4
- 수록면
- 179 - 184 (6page)
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In recent years, the on-resistance, power loss and cell density of Si power devices have not exhibited significant improvements, and performance is approaching the material limits. GaN is considered an attractive material for future high-power applications because of the wide band-gap, large breakdown field, high electron mobility, high switching speed and low on-resistance. Here we report on the Ohmic contact resistance and reversebias characteristics of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with and without annealing. Annealing in oxygen at 500℃ resulted in an increase in the breakdown voltage from 641 to 1,172 V for devices with an anode-cathode separation of 20 μm. However, these annealing conditions also resulted in an increase in the contact resistance of 0.183 Ω-mm, which is attributed to oxidation of the metal contacts. Auger electron spectroscopy revealed diffusion of oxygen and Au into the AlGaN and GaN layers following annealing. The improved reverse-bias characteristics following annealing in oxygen are attributed to passivation of dangling bonds and plasma damage due to interactions between oxygen and GaN/AlGaN. Thermal annealing is therefore useful during the fabrication of high-voltage GaN devices, but the effects on the Ohmic contact resistance should be considered.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. FABRICATION
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (20)
참고문헌 신청
D. Disney and Z. J. Shen, “Review of Silicon Power Semiconductor Technologies for Power Supply on Chip and Power Supply in Package Applications,” Power Electronics, IEEE Transactions on, Vol.28, No.9, pp.4168-4181, Sep., 2013.
N. Ikeda, et al, “GaN Power Transistors on Si Substrate for Switching Applications,” Proceedings of the IEEE, Vol.98, No.7, pp.1151-1161, July, 2010.
M. Ishida, et al, “GaN on Si Technologies for Power Switching Devices,” Electron Devices, IEEE Transactions on, Vol.60, No.10, pp.3053- 3059, Oct., 2013.
O. Seok and M.-W. Ha, “AlGaN/GaN MOSHEMTs- on-Si employing sputtered TaN-based electrodes and HfO2 gate insulator,” Solid-State Electronics, Vol.105, pp.1-5, Jan., 2015.
T. P Chow and R. Tyagi, “Wide Bandgap Compound Semiconductors for Superior High- Voltage Unipolar Power Devices,” Electron Devices, IEEE Transactions on, Vol.41, No.8, pp.1481-1483, Aug., 1994.
N. Ikeda, et al, “GaN Power Transistors on Si Substrate for Switching Applications,” Proceedings of the IEEE, Vol.98, No.7, pp.1151-1161, July, 2010.
M. Ishida, et al, “GaN on Si Technologies for Power Switching Devices,” Electron Devices, IEEE Transactions on, Vol.60, No.10, pp.3053- 3059, Oct., 2013.
O. Seok and M.-W. Ha, “AlGaN/GaN MOSHEMTs- on-Si employing sputtered TaN-based electrodes and HfO2 gate insulator,” Solid-State Electronics, Vol.105, pp.1-5, Jan., 2015.
T. P Chow and R. Tyagi, “Wide Bandgap Compound Semiconductors for Superior High- Voltage Unipolar Power Devices,” Electron Devices, IEEE Transactions on, Vol.41, No.8, pp.1481-1483, Aug., 1994.
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