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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제18권 제3호
- 발행연도
- 2017.6
- 수록면
- 125 - 128 (4page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.3.125
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This study is on how ohmic area etching affects the buffer breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMT. The surfacemorphology of the ohmic metal can be improved by whole etching on the ohmic area. The buffer breakdown voltagesof the samples with whole etching on the ohmic area were improved by the suppression of the metal spikes formedunder the ohmic contact regions during high-temperature annealing. The samples with selective etching on theohmic area were investigated for comparison. In addition, the buffer leakage currents were measured on the differentradii of the wafer, and the uniformity of the buffer leakage currents on the wafer were investigated by PL mappingmeasurement.
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Vipan Kumar / 2008 / 0.25 $\mu\hbox{m}$ Self-Aligned AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors / IEEE Electron Device Letters 29(1):18~20
A. Koudymov / 2007 / Power Stability of AlGaN/GaN HFETs at 20 W/mm in the Pinched-Off Operation Mode / IEEE Electron Device Letters 28(1):5~7
A. Chini / 2004 / Power and Linearity Characteristics of Field-Plated Recessed-Gate AlGaN–GaN HEMTs / IEEE Electron Device Letters 25(5):229~231
H. Xing / 2004 / High Breakdown Voltage AlGaN–GaN HEMTs Achieved by Multiple Field Plates / IEEE Electron Device Letters 25(4):161~163
P. Srivastava / 2012 / CS MANTECH Conference
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