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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.12
- 수록면
- 64 - 67 (4page)
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It is important to operate the driving circuit under the optimal condition through precisely sensing the power consumption causing the temperature made mainly by the MOSFET (metal – oxide semiconductor field-effect transistor) when a motor operates. In this paper, a Super-junction (SJ) power TMOSFET (trench metal-oxide semiconductor field-effect transistor) with an ultra-low specific on-resistance of 0/96 mΩ · cm² under the same breakdown voltage of 100 V is designed by using of the SILVACO TCAD 2D device simulator, Atlas, while the specific on-resistance of the traditional power MOSFET has tens of mΩ ·cm², which makes the higher power consumption. The SPICE simulation for measuring the power distribution of 25 cells for a chip is carried out, in which a unit cell is a SJ Power TMOSFET with resistor arrays. In addition, the power consumption for each unit cell of SJ power TMOSFET, considering the number, pattern and position of bonding, is computed and the power distribution for an ANSYS model is obtained, and the SJ TMOSFET is designed to make the power of the chip distributed uniformly to guarantee it’s reliability.
목차
Abstract
1. 서론
2. 초접합 전력 트랜치 MOSFET 구조 및 설계
3. 시뮬레이션
4. 결론
참고문헌
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