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배진용 (특허청) 김용 (동국대학교) 권순도 (대림대학) 조규만 (한국폴리텍I대학) 엄태민 (티엠에스)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2009 대한전기학회 전기기기 및 에너지변환시스템부문회 춘계학술대회 논문집
발행연도
2009.4
수록면
131 - 135 (5page)

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This paper reviews the characeristics of Power MOSFET device technology that are leading to improvements in power loss for power electronic system. The silicon bipolar power transistor has been displaced by silicon power MOSFET's in low and high voltage system. The power electronic technology requires the marriage of power device technology with MOS-gated device and bipolar analog circuits.

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]

참고문헌 (0)

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