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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.11
- 수록면
- 113 - 116 (4page)
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AlGaN/GaN devices have received a considerable amount of attention in relation to high-power applications due to their wide band gap properties.
To achieve control of the leakage current using a cap layer addition, various surface treatment methods and results were discussed. However, the influence of different capping layers on material properties and transistor performance has not been investigated so far. We investigated the effects of various capping layers, such as n-GaN and u-GaN formed on AlGaN/GaN Schottky diodes, on the performance of devices using TLM and AFM analysis. Also we studied impedance changes of schottky diodes by injecting gases with diverse concentrations.
To achieve control of the leakage current using a cap layer addition, various surface treatment methods and results were discussed. However, the influence of different capping layers on material properties and transistor performance has not been investigated so far. We investigated the effects of various capping layers, such as n-GaN and u-GaN formed on AlGaN/GaN Schottky diodes, on the performance of devices using TLM and AFM analysis. Also we studied impedance changes of schottky diodes by injecting gases with diverse concentrations.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 설계 및 제작
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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