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Hyun-Seop Kim (Hongik University) Won-Ho Jang (Hongik University) Sang-Woo Han (Hongik University) Hyungtak Kim (Hongik University) Chun-Hyung Cho (Hongik University) Jungwoo Oh (Yonsei University) Ho-Young Cha (Hongik University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.2
발행연도
2017.4
수록면
204 - 209 (6page)

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We have investigated a Mo/Au gate scheme for use in AlGaN/GaN-on-Si HFETs. AlGaN/GaN-on-Si HFETs were fabricated with Ni/Au or Mo/Au gates and their electrical characteristics were compared after thermal stress tests. While insignificant difference was observed in DC characteristics, the Mo/Au gate device exhibited lower on-resistance with superior pulsed characteristics in comparison with the Ni/Au gate device.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTS
III. RESULT AND DISCUSSION
V. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (13)

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