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Hyun-Seop Kim (Hongik University) Won-Ho Jang (Hongik University) Sang-Woo Han (Hongik University) Hyungtak Kim (Hongik University) Chun-Hyung Cho (Hongik University) Jungwoo Oh (Yonsei University) Ho-Young Cha (Hongik University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.2
발행연도
2017.4
수록면
204 - 209 (6page)

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We have investigated a Mo/Au gate scheme for use in AlGaN/GaN-on-Si HFETs. AlGaN/GaN-on-Si HFETs were fabricated with Ni/Au or Mo/Au gates and their electrical characteristics were compared after thermal stress tests. While insignificant difference was observed in DC characteristics, the Mo/Au gate device exhibited lower on-resistance with superior pulsed characteristics in comparison with the Ni/Au gate device.
#AlGaN/GaN-on-Si HFET #Mo/Au gate #thermal reliability #pulsed characteristics #dynamic characteristics

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTS
III. RESULT AND DISCUSSION
V. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (13)

참고문헌 신청
W. Saito, et al., “High Breakdown Voltage AlGaNGaN Power-HEMT Design and High Current Density Switching Behavior,” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 50, No. 12, pp. 2528- 2531, Dec., 2003. O. Ambacher, et al., “Two-dimensional Electron Gases Induced by Spontaneous and Piezoelectric Polariztion in Undped and Doped AlGaN/GaN Heterostructures,” Journal of Applied Physics, Vol. 87, No. 1, pp. 334-344, Jan., 2000. J.-G. Lee, et al., “State-of-Art AlGaN/GaN-on-Si Heterojunction Field Effect Transistors with Dual Field Plates,” Applied Physics Express, Vol. 5, No. 6, p. 066502, May, 2012. S.-W. Han, et al., “Dynamic on-resistance of normally-off recessed AlGaN/GaN-on-Si metaloxide- semiconductor heterojunction field-effect transistor,” Applied Physics Express, Vol. 7, No. 11, p. 111002, Oct., 2014. Y. Cai, et al., “High-Performance Enhancement- Mode AlGaN/GaN HEMTs Using Fluoride-Based Plasma Treatment,” IEEE Electron Device Letters, Vol. 26, No. 7, pp. 435-437, Jul., 2005.

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