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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.6
- 수록면
- 409 - 414 (6page)
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본 연구의 목적은 실제 실리콘 박막 트랜지스터 내 포논 전달 특성을 이해하는 것이다. 이를 위해 박막 소자 내 열해석 예측 정확성이 검증된 전자-포논 상호작용 모델을 이용하여 반도체 산업에서 중요한 Silicon-on-Insulator(SOI) 시스템에 대한 다양한 조건에서 전자-포논 산란에 의한 Joule 가열 메커니즘의 고려하여 포논 전달 해석을 수행했다. 소자 장치 전원(device power)과 실리콘 층 두께 변화에 따른 포논의 평균자유행로(mean free path) 스펙트럼에 대한 열적 특성을 조사하여, 실제 SOI 소자 내 포논 전달을 이해했다. 이 결과는 SOI 소자의 신뢰성 설계 및 고효율 열소산(heat dissipation) 설계전략에 필요한 포논 전달 특성 이해에 활용될 수 있다.
목차
초록
Abstract
1. 서론
2. 해석모델 및 해석방법
3. 해석결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (27)
참고문헌 신청
Marconnet, A. M., Asheghi, M. and Goodson, K. E., 2013, From the Casimir Limit to Phononic Crystals: 20 Years of Phonon Transport Studies Using Siliconon- Insulator Technology,” ASME Journal of Heat Transfer, Vol. 135, No. 6, Paper Number 061601.
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