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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
진재식 (조선이공대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 논문집 B권 대한기계학회논문집 B권 제42권 제3호(통권 제390호)
발행연도
2018.3
수록면
221 - 228 (8page)
DOI
10.3795/KSME-B.2018.42.3.221

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본 연구는 포논(phonon) 평균자유행로(mean free path, MFP) 스펙트럼(spectrum) 분포 별 열전도 기여도를 이용하여, 실리콘(Si)-포노닉 결정체(phononic crystals, PnC) 내 포논 전달 해석 모델을 제시했다. Si-PnC 내 포논 MFP에 대한 현상학적 접근(phenomenological approach)을 이용하여, Si-PnC 내 복잡한 홀(hole)-포논 산란(scattering) 정도를 표현할 수 있는 간단한 인자를 도입하고, 기존 연구에서 제시한 다양한 실험 조건 및 결과를 활용하여 모델을 완성했다. 이렇게 개발된 모델을 기존의 다른 조건의 Si-PnC 열전도율 측정 결과들에 적용하여, 본 연구에서 제시된 모델의 타당함을 보였고, 모델 개발 과정에서 사용된 홀(hole)-홀 간격의 범위를 벗어나는 경우에 대한 맞춤 매개 변수(fitting parameter) 값을 추가로 구하여, 본 모델의 결과가 기존의 Monte Carlo 기법의 수치적 결과 보다 예측 정확도가 높음을 확인했다. 본 연구결과는 향후 열전모듈 효율 향상 및 반도체 시스템의 열 관리 및 열 제어 연구에 활용될 수 있다.

목차

초록
Abstract
1. 서론
2. Si-PnC 포논 전달 해석 방법
3. Si-PnC 포논 열전도율 예측 결과
4. 결론
참고문헌(References)

참고문헌 (36)

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