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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.5
- 수록면
- 11 - 16 (6page)
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RF MOSFET에서 관찰된 입력 저항의 주파수 종속 특성이 단순화된 입력 등가회로로부터 유도된 pole과 zero 주파수 수식을 사용하여 자세히 분석되었다. 이러한 이론적 분석을 사용하여 저주파에서 입력저항의 감소현상이 포화영역에서 소스와 pinch-off 영역 사이의 채널저항으로부터 발생되는 것을 발견하였다. 이와 같이 저주파에서 입력저항이 감소하는 채널 저항 효과는 채널저항을 변화시키면서 소신호 등가회로 모델링을 수행하여 물리적으로 입증되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Measurement
Ⅲ. Analysis
Ⅳ. Verifications
Ⅴ. Conclusion
REFERENCES
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
J. Ahn and S. Lee, “Measurement and analysis of gate finger number dependence of input resistance for sub-micron MOSFETs,” J. Institute of Electronics and Information Engineers, vol. 51, no. 12, pp. 2695-2701, Dec. 2014.
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