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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.15 No.5
- 발행연도
- 2015.10
- 수록면
- 485 - 489 (5page)
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An accurate large-signal BSIM4 macro model including new empirical bias-dependent equations of the drain-source capacitance and channel resistance constructed from bias-dependent data extracted from S-parameters of RF MOSFETs is developed to reduce S<SUB>22</SUB>-parameter error of a conventional BSIM4 model. Its accuracy is validated by finding the much better agreement up to 40 ㎓ between the measured and modeled S<SUB>22</SUB>-parameter than the conventional one in the wide bias range.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PARAMETER EXTRACTION
Ⅲ. MODELING
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (10)
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[기타자료] - / 2006 / BSIM4.6.0 MOSFET Model Manual
[학술지(정기간행물)] - D. R. Pehlke / 1998 / High-frequency application of MOS compact models and their development for scalable RF model libraries / Proc. IEEE Custom Integrated Circuits Conf : 219 ~ 222
[학술대회논문] - J.-J.Ou / 1998 / CMOS RF modelling for GHz communication IC’s / Symp. VLSI Tech. Dig : 94 ~ 95
[학술지(정기간행물)] - S. F. Tin / 1999 / Substrate network modelling for CMOS RF circuit simulation / Proc. IEEE Custom Integrated Circuits Conf : 583 ~ 586
[학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2000 / Improved BSIM3v3 model for RF MOSFET IC simulation / Electron. Lett 36 (21) : 1818 ~ 1819
[학술지(정기간행물)] - D. R. Pehlke / 1998 / High-frequency application of MOS compact models and their development for scalable RF model libraries / Proc. IEEE Custom Integrated Circuits Conf : 219 ~ 222
[학술대회논문] - J.-J.Ou / 1998 / CMOS RF modelling for GHz communication IC’s / Symp. VLSI Tech. Dig : 94 ~ 95
[학술지(정기간행물)] - S. F. Tin / 1999 / Substrate network modelling for CMOS RF circuit simulation / Proc. IEEE Custom Integrated Circuits Conf : 583 ~ 586
[학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2000 / Improved BSIM3v3 model for RF MOSFET IC simulation / Electron. Lett 36 (21) : 1818 ~ 1819
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