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Jaecheol Yun (Korea University) Yun-Hwan Jung (Samsung Electronics) Taegeun Yoo (Nanyang Technological University) Yohan Hong (Chung-Ang University) Ju Eon Kim (Chung-Ang University) Dong-Hyun Yoon (Chung-Ang University) Sung-Min Lee (Chung-Ang University) Youngkwon Jo (Chung-Ang University) Yong Sin Kim (Korea University) Kwang-Hyun Baek (Chung-Ang University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.3
발행연도
2017.6
수록면
378 - 386 (9page)

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A return-to-zero (RZ) digital-to-analog converter (DAC) with a tri-state switching scheme is proposed in this paper. The proposed scheme provides a triple weight output for RZ operation by using a conventional differential current switch and simple pseudo-differential F/Fs. The RZ function is realized with only two additional transistors in each F/F cell, which results in a power dissipation increase of less than 5%. To verify the performance of the proposed method, a 10-bit RZ DAC is fabricated using standard 180-㎚ CMOS technology. Measured results show that the worst SFDR performances are 60 ㏈c and 55 ㏈c in the 1st and 2nd Nyquist bands, respectively, when operating at 650 ㎒ clock frequency. The total power consumption is 64 ㎽, and the active area occupies 0.25 ㎟.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. TRI-STATE SWITCHING SCHEME
Ⅲ. IMPLEMENTATION
Ⅳ. EXPERIMENTAL RESULTS
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (13)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2018-569-001034007