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실리콘카바이드 소자는 넓은 밴드갭을 갖는 물질로서 많은 주목을 받아왔다. 특히 4H-SiC 쇼트키 배리어 다이오드는 빠른 스위칭 속도와 낮은 순방향 전압강하의 특성으로 인해 널리 사용되고 있다. 그러나 쇼트키 배리어 다이오드의 낮은 신뢰성으로 인한 문제로 대안인 Super Barrier Rectifier(SBR)가 연구되었다. 본 논문은 4H-SiC trench-type accumulation super barrier rectifier(TASBR)를 분석하고 제안한다. 2D 시뮬레이션을 통해 본 구조는 심각한 역방향 저지전압의 감소와 누설전류의 증가가 없는 동시에 순방향 전압 강하는 21.06% 향상됨을 확인 할 수 있었다. 이러한 새로운 정류기 구조를 이용하면 전력손실이 적은 애플리케이션을 기대할 수 있다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (5)
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[학술지(정기간행물)] - 송관훈 / 2014 / PECVD와 NO 어닐링 공정을 이용하여 제작한 N-based 4H-SiC MOS Capacitor의 SiC/SiO2 계면 특성 / 전기전자학회논문지 18 (4) : 447 ~ 455
[단행본] - B. J. Baliga / 2010 / Fundamentals of Power Semiconductor Devices / Springer : 91 ~ 166
[학술지(정기간행물)] - Chih-Fang Huang / 2015 / Counter-Doped JTE, an Edge Termination for HV SiC Devices With Increased Tolerance to the Surface Charge / IEEE Transactions on Electron Devices 62 (2) : 354 ~ 358
[학술지(정기간행물)] - 김병수 / 2013 / Trapezoid mesa와 Half Sidewall Technique을 이용한 4H-SiC Trench MOS Barrier Schottky(TMBS) Rectifier / 전기전자학회논문지 17 (4) : 428 ~ 433
[학술대회논문] - V. Rodov / 2007 / Super Barrier Rectifier - A New Generation of Power Diode / Applied Power Electronics Conference, APEC 2007 - Twenty Second Annual IEEE : 1053 ~ 1056
[단행본] - B. J. Baliga / 2010 / Fundamentals of Power Semiconductor Devices / Springer : 91 ~ 166
[학술지(정기간행물)] - Chih-Fang Huang / 2015 / Counter-Doped JTE, an Edge Termination for HV SiC Devices With Increased Tolerance to the Surface Charge / IEEE Transactions on Electron Devices 62 (2) : 354 ~ 358
[학술지(정기간행물)] - 김병수 / 2013 / Trapezoid mesa와 Half Sidewall Technique을 이용한 4H-SiC Trench MOS Barrier Schottky(TMBS) Rectifier / 전기전자학회논문지 17 (4) : 428 ~ 433
[학술대회논문] - V. Rodov / 2007 / Super Barrier Rectifier - A New Generation of Power Diode / Applied Power Electronics Conference, APEC 2007 - Twenty Second Annual IEEE : 1053 ~ 1056
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