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학술저널
저자정보
백승환 (Dankook University) 이정민 (Dankook University) 서우열 (Dankook University) 구용서 (Dankook University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제27권 제4호
발행연도
2023.12
수록면
263 - 268 (6page)

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SiC는 고온, 고전압을 비롯한 악조건에서의 내성이 기존 산업분야의 대다수를 점유하고 있는 Silicon에 비해 우수하여 전력반도체 분야에서 Silicon의 위치를 대체하여 가고 있다. 본 논문은 전력 반도체 소자 중 하나인 4H-SiC Planar MOSFET에 알루미늄으로 Gate를 형성하여 다결정 Si 게이트와 대비, 파라미터 값들이 일관성을 갖도록 하였으며, SiC MOSFET의 채널 도핑 농도에 변화를 주어 문턱전압과 항복전압, IV 특성을 연구하였다.
#4H-SiC #Power semiconductor #SiC MOSFET #Breakdown voltage #Channel doping

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
Reference

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