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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.9
- 수록면
- 1,372 - 1,381 (10page)
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This paper presents a high-side switch driver IC capable of improving the current sensing accuracy and providing reverse battery protection. Power semiconductor switches used to replace relay switches are encumbered by two disadvantages: they are prone to current sensing errors and they require additional external protection circuits for reverse battery protection. The proposed IC integrates a gate driver and current sensing blocks, thus compensating for these two disadvantages with a single IC. A p-sub-based 90-V 0.13-μm bipolar-CMOS-DMOS (BCD) process is used for the design and fabrication of the proposed IC. The current sensing accuracy (error ≤ ±5% in the range of 0.1 A–6.5 A) and the reverse battery protection features of the proposed IC were experimentally tested and verified.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. CONVENTIONAL CIRCUITS
III. PROPOSED CIRCUITS
IV. MEASUREMENT RESULTS
V. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (20)
참고문헌 신청
B. Lequesne, “Automotive electrification: The nonhybrid story,” IEEE Trans, Transport, Electrific,, Vol. 1, No. 1, pp. 40-53, Jun. 2015.
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Infineon, “BTS5030-1EJA” Datasheet.
International Rectifier, “IR3311” Datasheet.
STMicroelectronics, “VN7016AJ-E” Datasheet.
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