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Young Kwon Kim (Chonnam National University) Jin Sung Lee (Chonnam National University) Geon Kim (Chonnam National University) Taesik Park (Mokpo National University) Hui Jung Kim (Seoul National University) Young Pyo Cho (The KEPCO Research Institute) Young June Park (Seoul National University) Myoung Jin Lee (Chonnam National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.5
발행연도
2017.10
수록면
729 - 732 (4page)
DOI
10.5573/JSTS.2017.17.5.729

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The proposed partial insulator isolation MOSFET (PiFET) structure, shows the characteristics of improved DIBL and high threshold voltage, using the optimized buried partial insulator shape with a small dielectric constant, compared with the conventional planar MOSFET and silicon on insulator (SOI) structures, even though it has the same doping profile.
#Drain-induced barrier lowering (DIBL) #silicon-on-insulator (SOI) #partial insulator isolation MOSFET (PiFET) #buried oxide (BOX)

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. SIMULATED STRUCTURE
III. SIMULATION ANALYSIS FOR INSULATOR ENCROACHMENT OF THE PIFET STRUCTURE
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (6)

참고문헌 신청
S. Sharma and P. Kumar, “Optimizing Effective Channel Length to Minimize Short Channel Effects in Sub-50 nm Single/Double Gate SOI MOSFETs,” Journal of Semiconductor Technology and Science, vol.8, no.2, pp.170?177, 2008. M. J. Lee and K. W. Park, A Mechanism for Dependence of Refresh Time on Data Pattern in DRAM, IEEE Electron Device Letters, vol.31, no.2, pp.168-170, 2010. U. Avci, et al, “Theoretical and Experimental Analysis of Back-Gated SOI MOSFETs and Back- Floating NVRAMs,” Journal of Semiconductor Technology and Science, vol.4, no.1, pp.18-26, 2004. M. J. Lee, S. D. Lee, Y. J. Park, and et al, Partial SOI Type Isolation for Improvement of DRAM Cell Transistor Characteristics, IEEE Electron Device Letters, vol.26, no.5, pp.332-334, 2005. T. Mizuno, et al, “Gate-Fringing Field Effects on High Performance in High Dielectric LDD Spacer MOSFETs,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol.39, no.4, pp.982?989, 1992.

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