A Vertical Gate-Source Overlapped TFET (Tunneling Field effect Transistor) for Ultra Low Power Application

HuiJung Kim; Seongwook Choi; Myoung Jin Lee; Nak Won Yoo; Young June Park

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저자정보: HuiJung Kim (Seoul National University) Seongwook Choi (Seoul National University) Myoung Jin Lee (Chonnam National University) Nak Won Yoo (Seoul National University) Young June Park (Seoul National University)

저널정보: 대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC 2015

발행연도: 2015.6

수록면: 805 - 808 (4page)

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We propose a new structure of TFET to enhance the ‘on’ current of the TFET, which has been considered as a potential show stopper. By adopting a vertical gate overlapped with the source structure, we could increase the depth of the gate, thereby can increase the Ion (on current) of TFET. Simulation result shows that Ion of TFET with only 100nm gate depth is 3.11× 10<SUP>-6</SUP>A/㎛ at VGS=1.5V and VDS=1.2V, which can be enhanced by increasing the depth. The main source of the enhancement is the unique structure where the gate is overlapped with the heavy doped source vertically. Also, surprisingly low sub-threshold swing (S.S.) of 8.7mV/decade and on/off ratio of 10<SUP>9</SUP>are obtained due to its superior gate controllability than the conventional TFET.

#vertical gate #TFET #overlapped with heavy doped region #low power

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