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Antireflective pyramid arrays can be readily obtained via anisotropic etching in alkaline solution (KOH, NaOH), which is widely used in crystalline-Si (c-Si) solar cells. The periodic inverted pyramid arrays show even lower light reflectivity because of their superior light-trapping characteristics. Since this inverted pyramidal structures are mostly achieved using very complex techniques such as photolithograpy and laser processes requiring extra costs, here, we demonstrate the Cu-nanoparticle assisted chemical etching processes to make the inverted pyramidal arrays without the need of photolithography. We have mainly controlled the concentration of Cu(NO₃)₂, HF, H₂O₂ and temperature as well as time factors that affecting the reaction. Optimal inverted pyramid structure was obtained through reaction parameters control. The reflectance of inverted pyramid arrays showed < 10% over 400 to 1100 nm wavelength range while showing 15~20% in random pyramid arrays.
목차
Abstract
1. 서론
2. 과제 해결 방안 및 과정
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
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