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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.6
- 수록면
- 92 - 95 (4page)
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Due to the artificial intelligence and big data era, the importance and demand for memory is increasing. DRAM, which is a conventional volatile memory, has advantages of high speed but it is not suitable for next generation memory technology because of increase of power consumption which come from periodic refresh and limited density. Nonvolatile memory is suitable for deep learning with high density and low power consumption. The cross-point array architecture is also proposed to minimize F-square size, however it has limitations in expandability due to sneak current. In this paper, we will analyze the value of the leakage current with respect to the reference read voltage and the total resistance value of the leakage current with respect to the crossbar array size.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 분석 및 시뮬레이션 결과
IV. 결론
참고문헌
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