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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.6
- 수록면
- 339 - 343 (5page)
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본 연구는 IGBT 구조에서 JFET 영역의 드라이브 인 확산거리 및 JFET영역의 윈도우의 크기에 따라서 항복전압과 온상태 전압강하 특성을 분석하였다. 시간은 동일하게 하면서 온도를 상승시켜 확산거리를 조정하였으며, 그 결과 항복전압은 감소되나, 온 상태 전압 강하 특성은 현저하게 좋아지는 것을 알 수 있었다. 따라서 드리프트 층의 비저항을 변화시켜 항복전압을 1440V로 고정하여 1.15V의 낮은 온 상태 전압 강하 값을 얻을 수 있었다. 따라서 본 연구결과를 토대로 Planar Gate IGBT에서는 JFET 영역의 공정 및 설계 파라미터를 효율적으로 조절한다면 같은 항복전압을 기준으로 상당히 낮은 온 상태 전압 강하 값을 확보할 수 있어, 소비전력의 측면에서 충분히 활용할 수 있을 것으로 판단된다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (5)
참고문헌 신청
[학술대회논문] - G. Majundar / 2007 / Recent and future IGBT evolution / Power Conversion Conference proceedings : 355 ~ 359
[학술대회논문] - Y. Shaorming / 2011 / Application of multi-lateral double diffused field ring in ultrahigh-voltage device MOS transistor region / IEEE 10th International Conferenceon Electronics & Measurement 1 : 85 ~ 88
[학술지(정기간행물)] - B. Q. Tang / 1997 / The quasi-threedimensional optimum analysis of breakdown voltage of floating field-limiting rings / Solid-Stage Electronics 41 (11) : 1821 ~ 1824
[학술지(정기간행물)] - C. H. Yu / 2017 / Research of Single-Event Burnout in Floating Field Ring Termination of Power MOSFETs / IEEE Tran. On Electron Devices 64 : 2906 ~ 2911
[학술대회논문] - P. Mirone / 2015 / A Comprehensive study of current conduction during breakdown of Floating Field Ring terminations at arbitrary current levels / The Proceeding PCIM Europe 2015 : 1 ~ 8
[학술대회논문] - Y. Shaorming / 2011 / Application of multi-lateral double diffused field ring in ultrahigh-voltage device MOS transistor region / IEEE 10th International Conferenceon Electronics & Measurement 1 : 85 ~ 88
[학술지(정기간행물)] - B. Q. Tang / 1997 / The quasi-threedimensional optimum analysis of breakdown voltage of floating field-limiting rings / Solid-Stage Electronics 41 (11) : 1821 ~ 1824
[학술지(정기간행물)] - C. H. Yu / 2017 / Research of Single-Event Burnout in Floating Field Ring Termination of Power MOSFETs / IEEE Tran. On Electron Devices 64 : 2906 ~ 2911
[학술대회논문] - P. Mirone / 2015 / A Comprehensive study of current conduction during breakdown of Floating Field Ring terminations at arbitrary current levels / The Proceeding PCIM Europe 2015 : 1 ~ 8
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