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윤형섭 (한국전자통신연구원) 민병규 (한국전자통신연구원) 장성재 (한국전자통신연구원) 정현욱 (한국전자통신연구원) 이종민 (한국전자통신연구원) 김성일 (한국전자통신연구원) 장우진 (한국전자통신연구원) 강동민 (한국전자통신연구원) 임종원 (한국전자통신연구원) 김완식 (LIG 넥스원) 정주용 (LIG 넥스원) 김종필 (LIG 넥스원) 서미희 (국방과학연구소) 김소수 (국방과학연구소)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第30卷 第4號(通卷 第263號)
발행연도
2019.4
수록면
282 - 285 (4page)

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본 연구에서는 2단계 게이트 리세스 방법을 사용하여 T-형 게이트 길이가 100 nm인 mHEMT 소자를 제작하였다. 제작한 소자는 65 mA의 드레인전류(I<SUB>dss</SUB>), 1090 mS/mm의 트랜스콘덕턴스(g<SUB>m</SUB>), −0.65 V의 문턱전압(V<SUB>th</SUB>) 등의 DC 특성을 보였다. 또한 차단주파수(f<SUB>T</SUB>) 190 GHz와 최대 공진주파수(f<SUB>MAX</SUB>) 260 GHz인 우수한 고주파 특성을 나타내었다. 제작한 mHEMT 소자는 향후에 W-대역의 MMIC 개발에 활용될 수 있을 것으로 기대된다.
#mHEMT #T-Shaped Gate #Two-Step Gate Recess #Cutoff Frequency #Maxium Oscillation Frequency

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작 공정
Ⅲ. 소자 측정 및 특성
Ⅳ. 결론
References

참고문헌 (6)

참고문헌 신청
Y. Yamashita / 2002 / Pseudomorphic In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMTs with an ultrahigh fT of 562GHz / IEEE Electron Device Letters 23(10):573~575 google schola W. R. Deal / 2011 / Low noise amplification at 0.67 THz using 30 nm InP HEMTs / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 21(7):368~370 google schola A. Leuther / 2003 / 70 nm low-noise metamorphic HEMT technology on 4 inch GaAs wafers / International Conference on Indium Phosphide and Related Materials :215~218 google schola H. S. Yoon / 2007 / Characteristics of 80 nm T-gate metamorphic HEMTs with 60% indium channel / 2007 IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials :110~113 google schola H. Fourre / 1996 / Selective wet etching of lattice-matched InGaAs/InAlAs and metamorphic InGaAs/InAlAs on GaAs substrate using succinic Aic/Hydrogen peroxide solution / Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 14(5):3400~3402 google schola

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