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저자정보
B. Kohlhepp (Friedrich-Alexander University Erlangen-Nürnberg) M. Barwig (Friedrich-Alexander University Erlangen-Nürnberg) T. Duerbaum (Friedrich-Alexander University Erlangen-Nürnberg)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2019-ECCE Asia
발행연도
2019.5
수록면
1,107 - 1,114 (8page)

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High sales quantities and an ongoing miniaturization of notebook power supplies require an improvement of their efficiency. In order to achieve a high power density, a high switching frequency in combination with low losses is necessary. The asymmetrical half-bridge PWM converter fits perfect for these requirements, as it allows zero voltage switching (ZVS) for the half-bridge MOSFETs, which is necessary for an efficient design. Furthermore, high efficiency requires the use of a synchronous rectifier. Unfortunately, measurements on a test setup reveal, that the parasitic output capacitance of the rectifier has a significant influence on the ZVS transition. This is due to the comparably very large output capacitance accompanied with low ohmic MOSFETs. For this reason, the paper examines the ZVS process of the input half-bridge considering the rectifier’s parasitic output capacitance. Furthermore, the required dead time of the half-bridge is predicted, taking the parasitic capacitance into account.
#Asymmetrical Half-Bridge PWM Converter #Synchronous Rectifier #Zero Voltage Switching

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. ANALYSIS OF THE CONVERTER
III. ZVS TRANSITION OF THE UPPER HALF-BRIDGE MOSFET
IV. INFLUENCE OF THE OUTPUT CAPACITANCE OF THE RECTIFIER TO THE DEAD TIME
V. LOAD DEPENDENCY OF THE ZVS TRANSITION
VI. ZVS TRANSITION OF THE LOWER HALF-BRIDGE MOSFET
VII. CONCLUSION
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