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저자정보
Mengxing Chen (Aalborg University) Donghua Pan (Aalborg University) Huai Wang (Aalborg University) Xiongfei Wang (Aalborg University) Frede Blaabjerg (Aalborg University) Wei Wang (Harbin Institute of Technology)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2019-ECCE Asia
발행연도
2019.5
수록면
1,793 - 1,799 (7page)

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The switching characterization of power devices is critical for improving the efficiency and reliability of power electronic converters. In this paper, the switching characteristics of silicon carbide (SiC) MOSFETs in a three-level active neutral-point-clamped (3L-ANPC) inverter are investigated. A parasitic model of the 3L-ANPC phase-leg is proposed first based on a design case and its ANSYS/Q3D simulation. Then, two typical commutation modes for ANPC inverters, namely the outer mode and the inner mode, are studied, and the separate switching loops and parasitic inductances are identified according to the parasitic model. Knowing this, double-pulse tests (DPTs) for each type of commutation are conducted. The differences in terms of switching characteristics and switching dissipations are fully revealed. The conclusion drawn can be utilized for developing the next-generation highly efficient and reliable SiC MOSFET based 3L-ANPC inverters.
#ANPC inverter #parasitic inductance #SiC MOSFET #and switching characterization

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. PARASITIC MODEL OF THE 3L-ANPC PHASE-LEG USING SIC MOSFET MODULES
III. SWITCHING CHARACTERIZATION OF SIC MOSFET MODULES IN 3L-ANPC CONVERTER
IV. DOUBLE-PULSE TEST
V. CONCLUSION
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