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저자정보
Haihong Qin (Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) Ceyu Ma (Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) Ziyue Zhu (Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) Yangguang Yan (Nanjing University of Aeronautics and Astronautics)
저널정보
전력전자학회 JOURNAL OF POWER ELECTRONICS JOURNAL OF POWER ELECTRONICS Vol.18 No.4
발행연도
2018.7
수록면
1,255 - 1,267 (13page)

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Parasitic parameters have a larger influence on Silicon Carbide (SiC) devices with an increase of the switching frequency. This limits full utilization of the performance advantages of the low switching losses in high frequency applications. By combining a theoretical analysis with a experimental parametric study, a mathematic model considering the parasitic inductance and parasitic capacitance is developed for the basic switching circuit of a SiC MOSFET. The main factors affecting the switching characteristics are explored. Moreover, a fast-switching double pulse test platform is built to measure the individual influences of each parasitic parameters on the switching characteristics. In addition, guidelines are revealed through experimental results. Due to the limits of the practical layout in the high-speed switching circuits of SiC devices, the matching relations are developed and an optimized layout design method for the parasitic inductance is proposed under a constant length of the switching loop. The design criteria are concluded based on the impact of the parasitic parameters. This provides guidelines for layout design considerations of SiC-based high-speed switching circuits.
#Layout design #Parasitic capacitance #Parasitic inductance #Silicon Carbide (SiC)

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. MODELING AND ANALYSIS OF SIC MOSFET SWITCHING CHARACTERISTICS
III. INFLUENCE OF PARASITIC INDUCTANCE ON THE SWITCHING CHARACTERISTICS
IV. OPTIMIZED LAYOUT DESIGN METHOD OF THE PARASITIC INDUCTANCE
V. INFLUENCE OF PARASITIC CAPACITANCE ON THE SWITCHING CHARACTERISTICS
VI. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (17)

참고문헌 신청
Z. Qian, J. Zhang, X. Xie, Y. Gu, Z. Lv, and X. Wu, “Progress in power electronics system integration,” Trans. China Electrotechnical Society, Vol. 3, No. 21, pp. 2-14, Jul. 2006. J. Wang, G. Zhang, Y. Geng, and Z. Song, “The latest technology research and application prospects of the intelligent electrical apparatus,” Trans. China Electrotechnical Society, Vol. 30, No. 9, pp. 1-11, Sep. 2015. M. Liang, Q. Zheng, C. Ke, Y. Li, and X. You, “Performance comparison of SiC MOSFET, Si CoolMOS, and IGBT for DAB converter,” Transactions of China Electrotechnical Society, Vol. 12, No. 30, pp. 41-50, Feb. 2015 “The influence of parasitic network parameters on the switching behavior of power MOSFETs when switching ohmic/inductive loads,” http://www.infineon.com, 2016. S. Clemente, B. R. Pelly, A. Isidori, “Understanding HEXFET switching performance,” Application Note? 947, International Rectifier, Inc., www.irf.com, 2013.

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