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한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 한국전자통신학회 논문지 제2권 제1호
발행연도
2007.1
수록면
9 - 17 (9page)

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In this paper, a third-order harmonic mixer is designed using frequency multiplier theory for the Ka-band. The gate bias voltage is selected by frequency multiplier theory to maximize the third-order harmonic element ofthe fundamental LO frequency in the proposed mixer. The designed mixer has a gate mixer structure composed of a gate terminal input for the fundamental local signal (fLO), RF signal (fRF) and a drain terminal output for the harmonic frequency (3fLO-fRF) respectively. The Ka-band harmonic mixer is designed and fabricated using a commercial GaAs MESFET device with a plastic package. The proposed mixer will provide a solution for the problems found in the high cost, complex circuitry in a conventional Ka-band mixer. The 33.5 GHz harmonic mixer has a -10 dB conversion gain by pumping 11.5 GHz LO with a +5 dBm level.
#Harmonic #High Order #Mixer #Plastic Package.

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