접합 소재에 따른 고출력 플립칩 LED 패키지 특성 연구

이태영; 김미송; 고은수; 최종현; 장명기; 김목순; 유세훈

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이태영 김미송 고은수 최종현 장명기 김목순 유세훈

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제21권 제1호

발행연도: 2014.1

수록면: 1 - 6 (6page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (3)

2014

접합 소재에 따른 고출력 플립칩 LED 패키지 특성 연구

이태영 , 김미송 , 고은수 외 4명 마이크로전자 및 패키징학회지 2014.01 학술저널

2013

고출력 LED 패키지용 나노복합 봉지재 및 플립칩 본딩 기술

이태영 , 김미송 , 고은수 외 4명 대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집 2013.11 학술대회자료

2012

고출력 LED용 플립칩본딩 특성 연구

이태영 , 최종현 , 장명기 외 1명 대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집 2012.11 학술대회자료

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고출력 LED 패키지의 열적 경로(thermal path)를 줄이기 위해 플립칩 본딩법에 대한 연구가 활발히 진행되고있다. 본 연구에서는 Au-Sn 열압착 본딩 및 Sn-Ag-Cu(SAC) 리플로우 본딩을 이용하여 본딩 특성 및 열적특성을 비교평가 하였다. Au-Sn 열압착 본딩은 50 N에서 300oC의 접합온도로 본딩하였고, SAC 솔더는 솔더페이스트를 인쇄한 후리플로우법으로 피크온도 255oC에서 30 sec에서 본딩하였다. SAC 솔더를 사용한 LED 패키지의 전단강도는 5798.5 gf/mm2로 Au-Sn 열압착 본딩의 3508.5 gf/mm2에 비해 1.6배 높았다. 파단면과 단면분석 결과 Au-Sn, SAC 솔더 모두 LED칩 내부에서 파단이 일어나는 것을 관찰하였다. 반면 Au-Sn 열압착 본딩 샘플의 열저항은 SAC솔더 접합 샘플에 비해 낮았으며, SAC 솔더 접합부 내부의 기공에 의해 열저항이 커짐을 알 수 있었다.

#LED #Flip-chip bonding #Au-Sn #Sn-Ag-Cu #Thermal resistance

참고문헌 (21)

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/ 2000 / IPC-A-610D, Acceptability of Electronic Assemblies / IPC

B. Djurfors / 2002 / Microstructural characterization of pulsed electrodeposited Au/Sn alloy thin films / Mater. Sci. Eng. B (90) : 309 ~

G. Meneghesso / 2005 / Degradation mechanisms of GaN-based LEDs after accelerated DC current aging / Proc. 2002 International Electron Devices Meeting(IEDM) : 103 ~

H. G. Song / 2001 / The microstructure of eutectic Au-Sn solder bumps on Cu/electroless Ni/Au / Journal of electronic materials 30 (9) : 1083 ~ 1087

H. Ye / 2003 / Damage mechanics of microelectronics solder joints under high current densities / Int. J. Solids Struct. 40 : 4021 ~