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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.1
- 수록면
- 101 - 104 (4page)
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An electric field was applied to a Mo conductive layer in the sandwiched structure of glass/SiO2/Mo/SiO2/ a-Si to induce Joule heating in order to generate the intense heat needed to carry out the crystallization of amorphous silicon. Polycrystalline silicon was produced via Joule heating through a solid state transformation. Blanket crystallization was accomplished within the range of millisecond, thus demonstrating the possibility of a new crystallization route for amorphous silicon films. The grain size of JIC poly-Si can be varied from few tens of nanometers to the one having the larger grain size exceeding that of excimer laser crystallized (ELC) poly-Si according to transmission electron microscopy. We report here the blanket crystallization of amorphous silicon films using the 2nd generation glass substrate.
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공수철 / 2005 / ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al 구조의 고분자 유기 발광다이오드의 특성 연구 / 마이크로전자 및 패키징학회지 12(3):213~218
A. T. Voutsas / 1992 / Structure of As-Deposited LPCVD Silicon Films at Low Deposition Temperatures and Pressures / J. Electrochem. Soc 139:2659
R. S. Wagner / 1964 / Vapor-Liquid-Solid mechanism of single crystal growth / Appl. Phys. Lett 4:89
S.-W. Lee / 1996 / Low temperature poly-Si thin film transistor fabrication by metal induced lateral crystallization / IEEE Electron Dev. Lett 17:160
J. S. Im / 1993 / Phase transformation mechanisms involved in excimer laser crystallization of amorphous silicon films / Appl. Phys. Lett 63:2969
A. T. Voutsas / 1992 / Structure of As-Deposited LPCVD Silicon Films at Low Deposition Temperatures and Pressures / J. Electrochem. Soc 139:2659
R. S. Wagner / 1964 / Vapor-Liquid-Solid mechanism of single crystal growth / Appl. Phys. Lett 4:89
S.-W. Lee / 1996 / Low temperature poly-Si thin film transistor fabrication by metal induced lateral crystallization / IEEE Electron Dev. Lett 17:160
J. S. Im / 1993 / Phase transformation mechanisms involved in excimer laser crystallization of amorphous silicon films / Appl. Phys. Lett 63:2969
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