Characteristics of 32 × 32 Photonic Quantum Ring Laser Array for Convergence Display Technology

이종필; 김무진

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이종필 김무진

저널정보: 한국융합학회 한국융합학회논문지 한국융합학회논문지 제8권 제5호

발행연도: 2017.1

수록면: 161 - 167 (7page)

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We have fabricated and characterized 32 × 32 photonic quantum ring (PQR) laser arrays uniformly operable with 0.98 ㎂ per ring at room temperature. The typical threshold current, threshold current density, and threshold voltage are 20 mA, 0.068 A/cm2, and 1.38 V. The top surface emitting PQR array contains GaAs multiquantum well active regions and exhibits uniform characteristics for a chip of 1.65 × 1.65 mm2. The peak power wavelength is 858.8 ± 0.35 nm, the relative intensity is 0.3 ± 0.2, and the linewidth is 0.2 ± 0.07 nm. We also report the wavelength division multiplexing system experiment using angle-dependent blue shift characteristics of this laser array. This photonic quantum ring laser has angle-dependent multiple-wavelength radial emission characteristics over about 10 nm tuning range generated from array devices. The array exhibits a free space detection as far as 6 m with a function of the distance.

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U. Mohideen / 1994 / GaAs/AlGaAs microdisk lasers / Appl. Phys. Lett 64(15):1911~1913

J. C. Ahn / 1998 / Angle-Dependent Multiple-Wavelength Radial Emissions in a Toroidal Microcavity: A Photonic Quantum Ring Laser / Proc. SPIE 3283:241~251

J. C. Ahn / 1999 / Photonic Quantum Ring / Phys. Rev. Lett 82(3):536~539

K. J. Luo / 2000 / Dynamics of GaAs/AlGaAs microdisk lasers / Appl. Phys. Lett 77(15):2304~2306

B. H. Park / 2001 / Evanescent and propagating wave characteristics of the photonic quantum ring laser / Appl. Phys. Lett 79(11):1593~1595

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