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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제12호
발행연도
2005.1
수록면
1,087 - 1,091 (5page)

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Four-probe device of single ZnO nanowire was fabricated by electron beam lithography. Electrical characterizations in a two-probe and a four-probe configuration with a back-gate were carried out to clarify the relative contribution of the contact and the intrinsic part in a ZnO nanowire. I-V characteristic in four-probe measurement showed an ohmic behavior with a high conductivity, 100 S/cm, which was better than those of two-probe measurement by 10 times. At the same values of the current between two-probe and four-probe, the net voltage applied inside the nanowire were extracted with calculated voltages at the contact. Four-probe current-gate voltage characteristics showed bigger tendencies than those of two-probe measurement at low temperatures, indicating the reduced gate dependence in two-probe measurements by the existence of the contact resistance.
#ZnO nanowire #Field effect transistor #Contact resistance #Four-probe device

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/ 2003. / GaN 나노선 네트웍크의 전기적 특성 연구 z : 67 ~ google schola / 2004. / Depletion-mode ZnO nanowire field- effect transistor 85 (12) : 2274 ~ google schola / 2004. / Electronic transport through individual ZnO nanowires 84 (22) : 4556 ~ google schola / 2004. / Gate-refreshable nanowire chemical sensors 86 (12) : 123510 ~ google schola / 2004. / Photo- response of sol-gel-synthesized ZnO nanorods 84 (24) : 5022 ~ google schola

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