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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 150 - 155 (6page)
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This study attempts to form a TiN barrier layer against Cu diffusion by the easier and more convenient method. In this new approach, Ti was sputter-deposited, and nitrided by heat-treating in the NH3 ambient. Sheet resistance of as-deposited Ti was 20 / , but increased to 195 / after the heat-treatment at 300 , and lowered to 120 / after the heat-treatment at 500 , and 600 . AES results for these thin films confirmed that the atomic ratio of Ti and N was close to 1:1 at or above 400 heat-treatment. However, it was also found that excessive oxygen was contained in the TiN layer. To examine the barrier property against Cu diffusion, 100nm Cu was deposited on the TiN layer and then annealed at 400 for 40 min.. Cu remained at the surface without diffusing into the Si layer.
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/ 1967. / Physics and technology of semiconductor devices : 40 ~
/ 1983. / Diffusion of metals in silicon dioxide
/ 1995. / Extended Abstracts of 42nd Spring Meeting : 811 ~
/ 1996. / Titanium nitridation on copper surfaces 143 (7) : 2349 ~
/ 1998. / MOCVD 방법으로 증착된 TaN 와 무전해도금된 Cu 박막 계면의 열적 안정성 연구 11 (12) : 1091 ~
/ 1983. / Diffusion of metals in silicon dioxide
/ 1995. / Extended Abstracts of 42nd Spring Meeting : 811 ~
/ 1996. / Titanium nitridation on copper surfaces 143 (7) : 2349 ~
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