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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 283 - 288 (6page)
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We have fabricated MIM capacitors for MMIC applications, with capacitances as high as 600pF/mm2 and excellent electrical properties of the insulator layer. Silicon nitride thin film is the desirable material for MMIC capacitor fabrication. Standard MIM capacitance in MMIC is 300pF/mm2 with an insulator layer thickness of more than 2000Å. However, capacitors with thin insulator layers have breakdown voltages as low as 20V. We have deposited insulator layers by PECVD in our MIM structure with an air bridge between the top metal and the contact pad. The PECVD process was optimized for fabricating the desired capacitors to be used in MMIC. Silicon nitride(SixNy) thin films of about 1000Å thick show capacitances of about 600pF/mm2, and breakdown voltages above 70V at 100nA.
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/ 1991. / Low hydrogen content stoichiometric silicon nitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition 70 : 3 ~
/ 1995. / Plasma-enhanced silicon nitride deposition for thin film transistor application 187 : 347 ~
/ 2001. / Au/Ta2O5/Pt MIM Capacitor의 annealing과 유전특성 14 (12) : 1016 ~
/ 2002. / Development of Motorola's InGaP HBT Process : 251 ~
/ 2002. / Silicon Nitride MIM Capacitor Reliability for Multiple Dielectric Thickness : 145 ~
/ 1995. / Plasma-enhanced silicon nitride deposition for thin film transistor application 187 : 347 ~
/ 2001. / Au/Ta2O5/Pt MIM Capacitor의 annealing과 유전특성 14 (12) : 1016 ~
/ 2002. / Development of Motorola's InGaP HBT Process : 251 ~
/ 2002. / Silicon Nitride MIM Capacitor Reliability for Multiple Dielectric Thickness : 145 ~
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