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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 197 - 202 (6page)
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In this paper, we proposed an analytical model for TFT which has series of the polycrystalline structures. An average speed is defined as carrier speed by the electric field. The effective square is suggested as the area of grain without depletion for the changed grain size. First, physical parameters such as grain size, channel lenght and trap density, have been changed to prove the validity of the average speed model and the value of the effective square has been estimated through drain-source current.
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D.A. Neamen / 1999 / Semiconductor physics & devices / McGRAW-HILL
G.A. Armstrong / 1997 / Modeling of laser-annealed polysilicon TFT Characteristics / IEEE Electron Devices Lett 18 : 315 ~
J.R. Ayres / 1993 / Characterization of trapping states in poly-crystalline-silicon thin-film transistor by deep-level transient spectroscopy / J Appl. Phys 74 : 1787 ~
M. Ohring / 2002 / Materials science of thin films depsition and structure / Academic Press
M.D. Jacunski / 1996 / Threshold voltage, field effect mobility, and gate-to-channel capacitance in polysilicon TFT'S / IEEE Trans Electron Device 43 (9) : 1433 ~
G.A. Armstrong / 1997 / Modeling of laser-annealed polysilicon TFT Characteristics / IEEE Electron Devices Lett 18 : 315 ~
J.R. Ayres / 1993 / Characterization of trapping states in poly-crystalline-silicon thin-film transistor by deep-level transient spectroscopy / J Appl. Phys 74 : 1787 ~
M. Ohring / 2002 / Materials science of thin films depsition and structure / Academic Press
M.D. Jacunski / 1996 / Threshold voltage, field effect mobility, and gate-to-channel capacitance in polysilicon TFT'S / IEEE Trans Electron Device 43 (9) : 1433 ~
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