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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 242 - 248 (7page)
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The structural, optical and electrical properties of ZnO films doped with 1.5 at% of 3A materials(B, Al, Ga, In) were studied by sol-gel process. The films were found to be c-axis (002) oriented hexagonal structure on glass substrate, when post heated at 500 ℃. The surface of the films showed a uniform and nano size microstructure and the crystalline size of doped films decreased. The lattice constants of ZnO:B/Al/Ga increased than that of ZnO, while ZnO:In decreased. All the films were highly transparent(above 90 %) in the visible region. The energy gaps of ZnO:B/Al/Ga were increased a little, but that of ZnO:In was not changed. The resistivities of ZnO:Al/Ga/In were less than 0.1 Ωcm. All the films showed a semiconductor properties in the light or temperature, however ZnO:In was less sensitive to it. A figure of merit of ZnO:In had the highest value of 0.025 Ω-1 in all samples.
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A. Kh. Abduev / 2007 / The structural and electrical properties of Ga, B-codoped ZnO thin films: The effects of additional boron impurity / Solar Energy materials & Solar
B.G. Choi / 2005 / Electrical, optical and structural properties of transparent and conducting ZnO thin films doped with Al and Fby rf magnetron sputter / Journal of the Eur
B.N. Pawar / 2005 / Deposition and characterization of transparent and conductive sprayed ZnO:B thin films / J. Phys. Chem. Solids 66 : 1779 ~
C.S. Hong / 2006 / Effect of metal(Al, Ga, and In)-dopants and/or Ag-nano-particles on the optical and electrical properties of ZnO thin films / Thin Solid Films 515 : 957 ~
J. Mass / 2003 / Effect of high substrate temperature on Al-doped ZnO thin films grown by pulsed laser deposition / Materials science and Engineering B 103 : 9 ~
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C.S. Hong / 2006 / Effect of metal(Al, Ga, and In)-dopants and/or Ag-nano-particles on the optical and electrical properties of ZnO thin films / Thin Solid Films 515 : 957 ~
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