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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제6호
발행연도
2008.1
수록면
575 - 579 (5page)

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Al-doped p-type ZnO films were fabricated on n-Si (100) and homo-buffer layers in pure oxygen at 450 ℃ by RF magnetron sputtering. Target was ZnO ceramic mixed with 2 wt% Al₂O₃. XRD spectra show that the Al-doped ZnO thin films have ZnO crystal structure and homo-buffer layers are beneficial to Al-doped ZnO films to grow along c-axis. Hall Effect experiments with Van der Pauw configuration show that p-type carrier concentrations are ranged from 1.66x1016 to 4.04x1018 cm-3, mobilities from 0.194 to 2.3 ㎠V-1s-1 and resistivities from 7.97 to 18.4 Ωcm. P-type sample has density of 5.40 cm-3 which is smaller than theoretically calculated value of 5.67 cm-3. XPS spectra show that O1s has O-O and Zn-O structures and Al2p has only Al-O structure. P-ZnO:Al/n-ZnO:Al junctions were fabricated by magnetron sputtering. V-I curves show that the p-n junctions have rectifying characteristics.

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