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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제1호
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2002.1
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The effects of the sintering additives such as Bi2O3 and V2O5 on the microwave dielectric and sintering properties of ZnTiO3 system were investigated. Highly dense samples were obtained for ZnTiO3 at the sintering temperature range of 870~900℃ with Bi2O3 and V2O5 additions of <1 wt.%, respectively. The microwave dielectric properties of ZnTiO3 with 0.6 wt.% Bi2O3 and 0.5 wt.% V2O5 were as follows: Qxfo = 48,400 GHz, εr = 22, and τf = -43 ppm/℃. In order to improve temperature coefficient of resonant frequency, TiO2 was added to the above system. The optimum amount of TiO2 was 15 mol.% when sintered at 870℃, at which we could obtain following results: Qxfo = 44,700 GHz, εr = 26, and τf = 0 ppm/℃.

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