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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제7호
발행연도
2003.1
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The effects of sintering additives such as Bi2O3 and V2O5 on the microwave dielectric and sintering properties of (Zn1-xMgx)TiO3 system were investigated. Highly dense samples were obtained for (Zn0.8Mg0.2)TiO3 at the sintering temperature range of 870～900℃ with Bi2O3 and V2O5 additions of 〈1 wt.%, respectively. The microwave dielectric properties of (Zn0.8Mg0.2)TiO3 with 0.45 wt.%Bi2O3 and 0.55 wt.%V2O5 sintered at 900℃ were as follows: Q×fo = 50,800 GHz, εr = 22, and τf = -53 ppm/℃. In order to improve temperature coefficient of resonant frequency, TiO2 was added to the above system. The optimum amount of TiO2 was 15 mol.% when sintered at 870℃, at which we could obtain following results: Q×fo = 32,800 GHz, εr = 26, and τf = 0 ppm/℃.
#Zn0.8Mg0.2)TiO3 #microwave dielectric properties #sintering additives #Bi2O3 #V2O5 #TiO2

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