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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제8호
발행연도
2004.1
수록면
875 - 881 (7page)

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Fundamental results obtained from an atomic force microscope (AFM) chemically-induced direct nano-lithography process are presented, which is regarded as a simple method for fabrication ㎚-scale devices such as superconducting flux flow transistors (SFFTs) and single electron tunneling transistors (SETs). Si cantilevers with Pt coating and with 30 ㎚ thick TiO coating were used as conducting AFM tips in this study. We observed the surfaces of superconducting strip lines modified by AFM anodization process. First, superconducting strip lines with scan size 2 ㎛×2 ㎛ have been anodized by AFM technology. The surface roughness was increased with the number of AFM scanning. The roughness variation was higher in case of the AFM tip with a positive voltage than with a negative voltage in respect of the strip surface. Second, we have patterned ㎚-scale oxide lines on YBa2Cu3O7-x superconducting microstrip surfaces by AFM conductive cantilever with a negative bias voltage. The YBa2Cu3O7-x oxide lines could be patterned by anodization technique. This research showed that the critical characteristics of superconducting thin films were be controlled by AFM anodization process technique. The AFM technique was expected to be used as a promising anodization technique for fabrication of an SFFT with nano-channel.
#AFM #SFFTs #SETs #Anodization #Conductive cantilever

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/ 1989. / S parameter measurenents on single superconducting thin film three terminal devices made of high-tc and low-tc materials 65 (10) : 4057 ~ google schola / 1991. / A model and equivalent circuit for a superconducting flux flow transistor 1 (2) : 95 ~ google schola / 1993. / Flux flow microelectronics 3 (1) : 2295 ~ google schola / 1993. / Superconducting flux flow digital circuits 40 (3) : 656 ~ google schola / 1993. / theoretical study of electric field effects in high-tc oxide superconductor using an ultrathin-metal-insulator super- lattice model 47 (14) : 9042 ~ google schola

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