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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제10호
발행연도
2004.1
수록면
1,041 - 1,048 (8page)

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Chemical mechanical polishing(CMP) process was studied in terms of tribology in this paper. CMP performed by the down force and the relative motion of pad and wafer with slurry is typically tribological system composed of friction, wear and lubrication. The piezoelectric quartz sensor for friction force measurement was installed and the friction force was detected during CMP process. Various friction signals were attained and analyzed with the kind of pad, abrasive and abrasive concentration. As a result of experiment, the lubrication regime is classified with ηv/p(η, v and p; the viscosity, relative velocity and pressure). The characteristics of friction and material removal mechanism is also different as a function of the kind of abrasive and the abrasive concentration in slurry. Especially, the material removal per unit distance is directly proportional to the friction force and the non-uniformity has relation to the coefficient of friction.
#Chemical mechanical polishing #Friction force #Wear #Lubrication #Coefficient of friction #Material removal #Uniformity

목차

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참고문헌 (12)

참고문헌 신청
/ 1977. / Oxide CMP mechanisms : 169 ~ google schola / 1983. / Engineering with polymers : 89 ~ google schola / 1993. / Engineering Tribology : 561 ~ google schola / 1996 / Friction, wear, lubrication : 111 ~ google schola / 1997. / Chemical mechanical planarization of microelectronic materials : 129 ~ google schola

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