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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 724 - 728 (5page)
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This paper describes on RIE(Reactive Ion Etching) characteristics of 3C-SiC(Silicon Carbide) grown on Si(100) wafers. In this work, CHF3 gas was used to form the polymer as a function of a side-wall for excellent anisotropy etching during the RIE process. The ranges of the etch rate were obtained from 60 Å/min to 980 Å/min according to the conditions such as working gas pressure, RF power, distance between electrodes and the O2 addition ratio in working gas pressure. Under the condition such as 100 mTorr of working gas pressure, 200 W of RF power and 30 ㎜ of the distance between electrodes, mesa structures with about 40 of the etch angle were formed, and the vertical structures could be improved with 50 % of O2 addition ratio in reactive gas during the RIE process. As a result of the investigation, we know that it is possible to apply the RIE process of 3C-SiC using CHF3 for the development of electronic parts and MEMS applications in harsh environments.
목차
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참고문헌 (8)
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/ 1995. / Residue-free reactive ion etching of 3C-SiC and 6H-SiC in fluorinated mixture plasmas 142 (8) : 2853 ~
/ 1996. / High etch rates of SiC in magnetron enhanced SF6 plasmas 68 (26) : 3755 ~
/ 1998. / Micromachined Transducers Sourcebook
/ 2000. / Reactive ion etching in CF4/O2 gas mixtures for fabricating SiC devices 338 : 1057 ~
/ 2000. / Silicon carbide as a new MEMS technology : 210 ~
/ 1996. / High etch rates of SiC in magnetron enhanced SF6 plasmas 68 (26) : 3755 ~
/ 1998. / Micromachined Transducers Sourcebook
/ 2000. / Reactive ion etching in CF4/O2 gas mixtures for fabricating SiC devices 338 : 1057 ~
/ 2000. / Silicon carbide as a new MEMS technology : 210 ~
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