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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 299 - 304 (6page)
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In recent years, silicon carbide has emerged as an important material for MEMS application. In order to fabricate an SiC film based MEMS structure by using chemical etching method, high operating temperature is required due to high chemical stability. Therefore, dry etching using plasma is the best solution. SiC film was deposited by thermal CVD at the temperature of 1000 and pressure of 10 torr. SiC was dry etched with a reactive ion etching (RIE) system, using SF6/O2 and CF4/O2 gas mixture. Etch rate has been investigated as a function of oxygen concentration in the gas mixture, rf power, working pressure and gas flow rate. Etch rate was measured by surface profiler and FE-SEM. SF6/O2 gas mixture showed higher etch rate than CF4/O2 gas mixture. Maximum etch rate appeared at RF power of 450W. O2 dilute mixtures resulted in an increasing of etch rate up to 40%, and the superior anisotropic cross section was observe.
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참고문헌 (11)
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/ 1986. / Reactive ion etching of sic thin films using fluorinated gases 4(1 : 349 ~
/ 1991. / 실리콘 카바이드 박막제조를 위한 증착 반응연구 4 (4) : 346 ~
/ 1994. / RF performance of SiC MESFET's on high resistivity substrates EDL-15 : 458 ~
/ 1995. / Low damage and residue-free dry etching of 6H SiC using electron cyclotron resonance plasma 67 : 368 ~
/ 1995. / Silicon Carbide and related Materials, International Physics Conference (142)
/ 1991. / 실리콘 카바이드 박막제조를 위한 증착 반응연구 4 (4) : 346 ~
/ 1994. / RF performance of SiC MESFET's on high resistivity substrates EDL-15 : 458 ~
/ 1995. / Low damage and residue-free dry etching of 6H SiC using electron cyclotron resonance plasma 67 : 368 ~
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